تتميز وحدة OLED بنسبة تباين عالية تبلغ 10000:1، مما يسمح بألوان أكثر حيوية وواقعية، ولون أسود أعمق، ولون أبيض أكثر سطوعًا. ويؤدي ذلك إلى تحسين جودة الصورة وتفاصيل أكثر وضوحًا وتحسين إمكانية القراءة، خاصة في البيئات منخفضة الإضاءة. بالإضافة إلى ذلك، تساهم نسبة التباين العالية في الحصول على تجربة مشاهدة غامرة أكثر.
وحدة OLED مناسبة لمختلف التطبيقات مثل أجهزة الجدار/العدادات والتطبيقات المنزلية وأنظمة نقاط البيع وأنظمة السحابة/إنترنت الأشياء والأدوات المحمولة وأجهزة التكنولوجيا الذكية وأنظمة الطاقة وتطبيقات السيارات وأنظمة الاتصالات والأدوات الطبية. يمكن للعملاء ترقية تطبيقاتهم الحالية من شاشات STN التقليدية إلى شاشات OLED، حيث توفر الوحدة نطاقًا واسعًا جدًا من تنسيقات البكسل النقطية لحلول OLED.
بالإضافة إلى ذلك، توفر لوحات OLED ذات الأبعاد نفسها مجموعة متنوعة من البدائل:
●سلسلة WEX025664B-CTP بدون إطار معدني، وثنائي الفينيل متعدد الكلور، ومع شاشة لمس CTP.
●سلسلة WEN025664B بإطار معدني وثنائي الفينيل متعدد الكلور.
●سلسلة WEN025664B-CTP ذات إطار معدني، وشاشة PCB، وشاشة تعمل باللمس CTP.
رسم
مرجع مصدر البيانات: WEX025664BWPP3N00000
تحديد
وظيفة دبوس الواجهة
| رقم التعريف الشخصي | رمز | الإدخال/الإخراج | وظيفة | ||||||||||
| 1 | كارولاينا الشمالية (GND) | P | أرضي | ||||||||||
| 2 | VSS | P | أرضي. | ||||||||||
| 3 | VCC | P | مصدر الطاقة لجهد قيادة اللوحة. وهذا أيضًا هو دبوس إمداد جهد الطاقة الأكثر إيجابية. |
||||||||||
| 4 | فكومه | P | مستوى الجهد غير المحدد لإشارة COM. يجب توصيل مكثف بين هذا الدبوس وVSS. |
||||||||||
| 5 | VLSS | P | دبوس أرضي للنظام التناظري. | ||||||||||
| 6 ~ 13 | D7~D0 | الإدخال/الإخراج | ناقل إدخال/إخراج البيانات المضيف هذه الأطراف عبارة عن ناقل بيانات ثنائي الاتجاه بطول 8 بت ليتم توصيله بحافلة بيانات المعالج الدقيق. عند تحديد الوضع التسلسلي، سيكون D1 هو إدخال البيانات التسلسلية SDIN وسيكون D0 هو SCLK لإدخال الساعة التسلسلية. |
||||||||||
| 14 | البريد/RD# | I | تمكين القراءة/الكتابة أو القراءة هذا الدبوس هو إدخال واجهة MCU. عند الاتصال بمعالج دقيق من السلسلة 68XX، سيتم استخدام هذا الدبوس كإشارة تمكين (E). تبدأ عملية القراءة/الكتابة عندما يتم سحب هذا الدبوس عاليًا ويتم سحب CS# إلى مستوى منخفض. عند الاتصال بمعالج دقيق 80XX، يتلقى هذا الدبوس إشارة القراءة (RD#). تبدأ عملية قراءة البيانات عندما يتم سحب هذا الدبوس إلى مستوى منخفض ويتم سحب CS# إلى مستوى منخفض. عند تحديد الوضع التسلسلي، يجب توصيل هذا الطرف بـ VSS. |
||||||||||
| 15 | ص / ث # | I | القراءة/الكتابة التحديد أو الكتابة هذا الدبوس هو إدخال واجهة MCU. عند الاتصال بمعالج دقيق من السلسلة 68XX، سيتم استخدام هذا الدبوس كمدخل تحديد القراءة/الكتابة (R/W#). اسحب هذا الدبوس إلى "عالي" لوضع القراءة واسحبه إلى "منخفض" لوضع الكتابة. عند تحديد وضع الواجهة 80XX، سيكون هذا الدبوس هو مدخل الكتابة (WR#). تبدأ عملية كتابة البيانات عندما يتم سحب هذا الدبوس إلى مستوى منخفض ويتم سحب CS# إلى مستوى منخفض. عند تحديد الوضع التسلسلي، يجب توصيل هذا الطرف بـ VSS. |
||||||||||
| 16 | بي اس0 | I | تحديد بروتوكول الاتصال هذه الدبابيس هي مدخلات اختيار واجهة MCU. انظر الجدول التالي:
(1) 0 متصل بـ VSS (2) 1 متصل بـ VDDIO |
||||||||||
| 17 | بي اس 1 | ||||||||||||
| 18 | د/ج # | I | التحكم في البيانات/الأوامر هذا الدبوس هو دبوس التحكم في البيانات/الأوامر المتصل بوحدة MCU. عندما يتم سحب الدبوس إلى أعلى، سيتم تفسير المحتوى عند D[7:0] على أنه بيانات. عندما يتم سحب الدبوس إلى مستوى منخفض، سيتم تفسير المحتوى الموجود في D[7:0] على أنه أمر. |
||||||||||
| 19 | CS # | I | التحكم في البيانات/الأوامر هذا الدبوس هو مدخل تحديد الشريحة المتصل بوحدة MCU. يتم تمكين الشريحة لاتصال MCU فقط عندما يتم سحب CS# إلى مستوى منخفض. |
||||||||||
| 20 | الدقة # | I | يتم إعادة ضبط هذا الدبوس لإدخال الإشارة. عندما يتم سحب الدبوس إلى مستوى منخفض، يتم تنفيذ تهيئة الشريحة. أبقِ هذا الدبوس يسحب عاليًا أثناء التشغيل العادي. |
||||||||||
| 21 | الاب | O | هذا الدبوس هو لا يوجد دبابيس اتصال. لا ينبغي أن يكون أي شيء متصلاً بهذا الدبوس. يجب ترك هذا الدبوس مفتوحًا بشكل فردي. | ||||||||||
| 22 | إيريف | I | المرجع الحالي لتعديل السطوع هذا الدبوس هو الجزء المرجعي الحالي. يجب توصيل المقاوم بين هذا الدبوس وVSS. اضبط التيار على أقل من 10uA. |
||||||||||
| 23 | نورث كارولاينا. | - | دبوس محجوز يتم حجز دبوس NC بين دبابيس الوظيفة للتصميم المتوافق والمرن. |
||||||||||
| 24 | VDDIO | P | مصدر الطاقة لدبوس الإدخال/الإخراج يجب أن يتطابق مع مستوى جهد واجهة MCU. |
||||||||||
| 25 | VDD | P | مصدر الطاقة للدائرة المنطقية الأساسية دبوس مصدر الطاقة لتشغيل المنطق الأساسي. مطلوب مكثف للاتصال بين هذا الدبوس وVSS |
||||||||||
| 26 | VCI | P | مصدر الطاقة للتشغيل يجب أن يكون VCI دائمًا مساويًا أو أعلى من VDD وVDDIO. |
||||||||||
| 27 | VSL | P | مستوى منخفض لإخراج الجهد لإشارة SEG هذا هو دبوس مرجع الجهد الجزء. عند عدم استخدام VSL خارجي، يجب ترك هذا الدبوس مفتوحًا. عند استخدام VSL خارجي، يجب أن يتصل هذا الطرف بالمقاوم والصمام الثنائي بالأرض. |
||||||||||
| 28 | VLSS | P | أرض الدائرة التناظرية هذه هي الدبابيس الأرضية التناظرية. يجب أن تكون متصلة بـ VSS خارجيًا. |
||||||||||
| 29 | VCC | P | مصدر الطاقة للوحة OLED هذه هي أطراف إمداد الجهد الأكثر إيجابية للرقاقة. يجب أن تكون متصلا بمصدر خارجي. |
||||||||||
| 30 | كارولاينا الشمالية (GND) | P | أرضي |
المواصفات العامة
| غرض | البعد | وحدة |
| مصفوفة نقطية | 256 × 64 نقطة | － |
| البعد الوحدة | 88.0 × 27.8 × 2.15 | مم |
| المنطقة النشطة | 76.778×19.178 | مم |
| حجم البكسل | 0.278×0.278 | مم |
| درجة البكسل | 0.3×0.3 | مم |
| وضع العرض | مصفوفة سلبية | |
| لون العرض | أحادية اللون | |
| واجب القيادة | 1/64 واجب | |
| مقياس رمادي | 4 بت | |
| إيك | SSD1322 (كوف) | |
| واجهة | 6800، 8080، سبي | |
| مقاس | 3.12 بوصة | |
الحد الأقصى للتقييمات المطلقة
| المعلمة | رمز |
| جهد الإمداد للتشغيل | VCI |
| جهد العرض للمنطق | VDD |
| جهد الإمداد لدبابيس الإدخال/الإخراج | VDDIO |
| جهد العرض للعرض | VCC |
| درجة حرارة التشغيل | قمة |
| درجة حرارة التخزين | TSTG |
الخصائص الإلكترونية
| غرض | رمز | حالة | دقيقة | اكتب | الأعلى | وحدة |
| جهد العرض للمنطق | VDD | － | 2.4 | 2.5 | 2.6 | V |
| مصدر الطاقة لدبابيس الإدخال/الإخراج | VDDIO | － | 1.65 | 3.0 | VCI | V |
| إمدادات الطاقة ذات الجهد المنخفض | VCI | － | 2.4 | 3.0 | 3.5 | V |
| جهد العرض للعرض | VCC | － | 11.5 | 14.5 | 15 | V |
| مدخلات عالية المستوى | فيروس العوز المناعي البشري | － | 0.8 × فديو | － | VDDIO | V |
| مدخلات منخفضة المستوى | سوف | － | 0 | － | 0.2 × فديو | V |
| إخراج عالي المستوى | VOH | － | 0.9 × فديو | － | VDDIO | V |
| مخرجات منخفضة المستوى | المجلد | － | 0 | － | 0.1 × فديو | V |
| 50% فحص تيار تشغيل اللوحة | المحكمة الجنائية الدولية | فك = 12 فولت | － | 24 | 32 | أماه |
| فك = 14.5 فولت | － | 32 | 42.5 | أماه |
عنوان
Hongji E-Valley، رقم 23 طريق Tongji West، مدينة نانتو، مدينة تشونغشان، مقاطعة قوانغدونغ، الصين
هاتف
بريد إلكتروني
